インフィニオンテクノロジーズは、新しい1200V CoolSiC MOSFETパワーモジュールでシリコンカーバイド（SiC）MOSFETファミリを拡張しました。これらのMOSFETは、SiCの特性を利用して、高い電力密度と効率で高いスイッチング周波数で動作します。インフィニオンは、これらのMOSFETは、スイッチング損失が低いため、インバータ設計で99％の効率を超える可能性があると主張しています。この特性により、UPSやその他のエネルギー貯蔵設計などの高速スイッチングアプリケーションの運用コストが大幅に削減されます。
MOSFETパワーモジュールは、浮遊インダクタンスが低いEasy2Bパッケージで提供されます。新しいデバイスは、スイッチあたりのオン抵抗（R DS（ON））を備えたハーフブリッジトポロジのモジュールの電力範囲 をわずか6mΩに拡大し、4パックおよび6パックトポロジの構築に最適です。さらに、MOSFETは、1200Vスイッチで見られる最低のゲート電荷とデバイス容量レベル、逆並列ダイオードの逆回復損失がない、温度に依存しない低いスイッチング損失、およびしきい値のないオン状態特性も備えています。 MOSFETの内蔵ボディダイオードは、外部ダイオードを必要とせずに低損失のフリーホイール機能を提供し、内蔵NTC温度センサーはデバイスの故障保護も監視します。
これらのMOSFETの対象となるアプリケーションは、太陽光発電インバーター、バッテリー充電、およびエネルギー貯蔵です。最高のパフォーマンス、信頼性、使いやすさにより、システム設計者はこれまでにないレベルの効率とシステムの柔軟性を活用できます。Infineon Easy 2B CoolSiC MOSFETが購入可能になりました。詳細については、同社のWebサイトにアクセスしてください。