Vishay Intertechnologyは、標準ゲートドライブ用に最適化された新しい60V TrenchFET Gen IV nチャネルパワーMOSFETを発売し、熱的に強化された3.3 mmx3.3mmのPowerPAK®1212-8Sパッケージで10Vで最大4mΩのオン抵抗を実現しました。 Vishay Siliconix SiSS22DNは、22.5 nCの低ゲート電荷と低出力電荷（QOSS）を特徴とする、スイッチングトポロジの電力密度と効率を向上させるように設計されています。 SiSS22DNには、強化されたスレッショルドゲートソースV GS（th）と、ロジックレベルの60 Vデバイスとは異なるミラープラトー電圧が付属しているため、MOSFETは最適化された動的特性を提供し、短いデッドタイムを可能にし、同期整流器アプリケーションでのシュートスルーを防ぎます。 。
SiSS22DN MOSFETは、オン抵抗が可能な限り低い4.8％を特徴とQ OSS 34.2のnCのは、クラスQで最高を提供してOSS倍の抵抗。これらのデバイスは、6 mm x 5 mmパッケージで65％少ないPCBスペースを使用し、より高い電力密度を実現します。SiSS22DNは、導通損失とスイッチング損失を同時に低減するように微調整された仕様を備えており、DC / DCおよびAC / DCトポロジでの同期整流を含む複数の電源管理システムビルディングブロックで実現できる効率の向上をもたらします。昇降圧コンバータのハーフブリッジMOSFETパワーステージ、DC / DCコンバータのプライマリ側スイッチング、およびテレコムおよびサーバー電源のOR機能。バッテリー管理モジュールでのバッテリー保護と充電。産業機器および電動工具のモーター駆動制御および回路保護。
SiSS22DN MOSFETの機能：
- TrenchFET®GenIVパワーMOSFET
- 非常に低いRDS-Qg性能指数（FOM）
- 最も低いRDSに合わせて調整-QossFOM
SiSS22DN MOSFETは、100％RGおよびUISテスト済みで、ハロゲンフリーで、RoHSに準拠しています。PowerPAK 1212-8Sパッケージで提供され、サンプルと生産数量が現在入手可能であり、リードタイムは市場の状況に応じて30週間です。