次世代650VパワーMOSFETの新シリーズが東芝から発表されました。これは、データセンターのサーバー電源、太陽光発電（PV）パワーコンディショナー、無停電電源装置（UPS）などの産業用アプリケーションでの使用を目的としています。
DTMOSVIシリーズの最初のパワーMOSFETは650VTK040N65Zで、パルス時（I DP）に最大57Aおよび228Aの連続ドレイン電流（I D）をサポートします。電力アプリケーションでの損失を減らすために 、0.04Ω（0.033Ωtyp。）の超低ドレイン-ソースオン抵抗R DS（ON）を提供し、削減されたため、最新の高速電源での使用に適しています。設計における静電容量。
主要業績評価指標/性能指数（FoM）– R DS（ON） x Q gdの削減により、アプリケーションの電力効率が向上します。TK040N65Zは、以前のDTMOS IV-Hデバイスと比較してこの重要なメトリックが40％向上していることを示しています。これは、2.5kW PFC回路で測定した場合、0.36％の領域で電源効率が大幅に向上していることを示しています。
アプリケーション
- 日付センター（サーバー電源など）
- 太陽光発電機用パワーコンディショナー
- 無停電電源装置
特徴
- R DS（ON） ×Q gdを低く すると、電源を切り替えて効率を向上させることができます
主な仕様（@T a = 25℃）
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部品番号 |
TK040N65Z |
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パッケージ |
TO-247 |
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絶対 最大定格 |
ドレイン-ソース間電圧VDSS （V） |
650 |
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ドレイン電流（DC）I D （A） |
57 |
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ドレイン-ソース間オン抵抗 RDS （ON） max @V GS = 10V（Ω） |
0.040 |
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全ゲート電荷Q G TYP。（nC） |
105 |
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ゲート・ドレイン間電荷Q GDの TYP。（nC） |
27 |
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入力容量Cisstyp 。（pF） |
6250 |
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前シリーズ（DTMOSⅣ-H）の部品番号 |
TK62N60X |
TK040N65Zは、業界標準のTO-247パッケージで提供され、従来の設計との互換性と新しいプロジェクトへの適合性を保証します。本日量産に入り、すぐに出荷を開始します。