ルネサスエレクトロニクスは、小型衛星（小型衛星）およびロケットのDC / DC電源用にISL71043Mプラスチックパッケージ放射線耐性PWMコントローラーおよびISL71040M窒化ガリウム（GaN）FETドライバーをリリースしました。ISL71043Mはシングルエンド電流モードPWMコントローラーですが、ISL71040MはローサイドGaN FETドライバーであり、小型衛星の大規模なコンステレーションにサイズとコストを最適化した電源ソリューションを提供します。これとは別に、これらのデバイスは、孤立したフライバックとハーフブリッジのパワーステージ、および衛星バスとペイロードのモーター制御ドライバー回路に最適です。
PWMコントローラISL71043MとGaN系FETドライバISL71040MISL73024SEH 200V GaNFETまたはISL73023SEH100V GaN FET、およびISL71610Mパッシブ入力デジタルアイソレータと統合して、さまざまなパワーステージ構成を形成できます。両方のデバイスは、43 MeV.cm2 / mgの線エネルギー付与（LET）および最大30 krads（Si）の総電離ドーズ（TID）で、拡張温度範囲でシングルイベント効果（SEE）の特性テストが行われます。 55°Cから+ 125°C。ISL71043M PWMコントローラーは4mmx 5mm SOICプラスチックパッケージの小さなサイズで、競合するセラミックパッケージと比較してPCB面積を最大3分の1に削減します。一方、ISL71040Mは、分離トポロジでルネサスの耐放射線性GaN FETを安全に駆動し、フローティング保護を備えたブーストタイプの構成です。意図しないスイッチングを排除する回路。
ISL71043MPWMコントローラーの主な機能
- 9V〜13.2Vの動作電源範囲
- 5.5mA（最大）動作供給電流
- ±3％の電流制限しきい値
- 統合された1AMOSFETゲートドライバ
- 1nFの出力負荷で35nsの立ち上がり時間と立ち下がり時間
- 1.5MHz帯域幅エラーアンプ
ISL71040MローサイドGaNFETドライバーの主な機能
- 4.5V〜13.2Vの動作電源範囲
- 内部4.5V安定化ゲート駆動電圧
- 立ち上がり時間と立ち下がり時間を調整するための独立した出力
- 高い3A / 2.8Aシンク/ソース機能
- 1nFの出力負荷で4.3nsの立ち上がり/3.7nsの立ち下がり時間
- ゲートドライバの内部低電圧ロックアウト（UVLO）
ISL71043M放射線耐性PWMコントローラーは8リード4mmx 5mm SOICパッケージで提供されますが、ISL71040M放射線耐性ローサイドGaNFETドライバーは8リード4mmx 4mm TDFNパッケージで提供され、両方とも現在入手可能です。